Plasma Source RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화.
2018.11.20 16:00
안녕하세요 저는 RF Plasma 관련 직종에 근무하는 직장인 입니다.
RF generator에서 Frequency tuning (주파수 가변) 기능을 사용하고 있는데, 주파수 변화에 따라서 Matcher에서 읽혀지는 Vrms 값이 심하게 변화하는것을 확인하였습니다.
Frequency 높아질수록 (13.56Mhz 기준) Vrms 높아짐 / Irms 큰변화 없음 / Phase 높아 지는데, 왜 Frequency 변화에 따라 Vrms와 Phase가 변하고, Irms는 큰 변화가 없는 것일까요?
주파수에 따른 Vrms, Irms, Phase의 연관성을 알수 있을까요.
조언 부탁드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76728 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20190 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68700 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 13 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 33 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 59 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 62 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 80 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 85 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
779 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 111 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 112 |
777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 113 |
776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 125 |
774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 129 |
773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 137 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 149 |
지나가다 도움이 되실까 답변을 남깁니다.
임피던스 변환 공식은 1/jwc 또는 jwL 입니다. w가 f를 포함하므로 주파수에 따라 임피던스가 변하므로 Phase도 변합니다.
(인가된 Power가 같을 때) Irms가 같다는 의미는 임피던스의 실수 값은 변하지 않는 다는 뜻입니다.
임피던스의 실수값은 변하지 않고 허수값이 주파수 변화에 따라 변하므로 이에 상관된 Vrms는 따라 변화 합니다.