안녕하세요 ICP Dry Etch 설비를 운용하는 엔지니어입니다. 

 

일전에도 비슷한 질문을 하긴 했는데요, 추가로 궁금한것이 있어 질문드립니다. 

 

 설비 문제점 발생 :  

- 13.56MHz를 Bias1으로 50w, Striking 및 Etch로 사용하는 Recipe에서만 DC bias 발생하고 있는데요. 특정 step에서만 Trend 내 Hunting이 발생하고 있고, 다른 Step에서도 동일하게 Bias1을 사용하는데 문제점이 발생하지 않고 있습니다.

- 해당 문제는 매 w/f 진행 간 발생하는것이 아닌 한번 발생하면 추가 발생 빈도수가 높은 문제가 있습니다. 

 

1. 관리하는 Parameter에서 DC Bias란 W/F 와 Plasma에 인가된 전압으로 알고 있는데요, Etch 하고자 하는 Layer의 계면 및 Gas, etchant 등으로 DC Bias가 영향이 많이 갈까요? 

 

 

2. 1번 질문이 맞다면, Hbr로 si layer를 etch할 때 ion Energy, DC Bias가 Hunting하는 과정이 궁금합니다. 

> Hbr이 Si Layer를 etch 하면서 SiBr4가 날라가면서 DC bias가 hunting 하는지...?

 

 

3. 해당 문제는 HW적인 조치로 발생율을 완화하고 있는데요, PLASMA RF RETRUN PATH로 작용하는 설비 내 CATHODE와 연결되는 PARTS를 교체하고 있습니다. 

해당 PARTS는 원형 평면구조로 ESC 둘레로 장착되며, Y2O3로 코팅되어 있는데요, HBr의 gas 영향성으로 Si layer를 ETCH 하는 과정에서 RF RETRUN PATH로 작용하는걸 방해 할 수 있을까요? 

 

감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102636
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24658
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61358
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73442
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105747
833 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 120
832 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 185
831 Ar Plasma로 AlN Pedestal 표면에 AlFx desorption 가능 여부가 궁금합니다. [1] 188
830 플라즈마 식각 커스핑 식각량 225
829 PEALD 챔버 세정법 [1] 244
828 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 256
827 RF BIAS REDLECT POWER HUNTING 문제 [1] 264
826 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 286
825 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 296
824 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 299
823 플라즈마 설비에 대한 질문 301
822 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [상압플라즈마 소스] [1] 324
821 corona model에 대한 질문입니다. [준중성과 저압플라즈마] [1] 333
820 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 335
819 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 338
818 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [유전체 상태 모니터링] [1] 342
817 Lxcat dataset에 따른 Plasma discharge에 대한 질문입니다. [CX 데이터] [1] 347
816 플라즈마를 이용한 물속 세균 살균 질문드립니다. [Bactericidal 이해] [2] 347
815 DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 351
814 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 365

Boards


XE Login