안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.

한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.

현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데

공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.

공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.

이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.

혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.

감사합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5815
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17218
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53089
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64491
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85106
518 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 905
517 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 913
516 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 920
515 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 920
514 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 924
513 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 924
512 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 926
511 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 926
510 RF 전압과 압력의 영향? [1] 935
» Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 939
508 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 946
507 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 963
506 플라즈마 코팅 [1] 967
505 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 976
504 Group Delay 문의드립니다. [1] 977
503 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 983
502 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 994
501 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 996
500 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1002
499 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1004

Boards


XE Login