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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias]
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대학원 진학 질문 있습니다. [전공 설계]
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572 |
RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias]
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571 |
center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge]
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sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias]
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산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [DBD]
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568 |
Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]
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567 |
RF 반사파와 이물과의 관계 [Physical/chemical cleaning]
[1] | 1460 |
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566 |
DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [플라즈마 공간 분포 진단]
[1] | 1462 |
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anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘]
[1] | 1466 |
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공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance]
[2] | 1469 |
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공정플라즈마 [플라즈마 입자 거동 및 유체 방정식]
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Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어]
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플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [PMI]
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RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [Plasma sheath, Stochastic heating]
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559 |
챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자]
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플라즈마 기초입니다 [Breakdown과 electrolysis]
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Edge ring의 역할 및 원리 질문 [플라즈마 밀도 및 전위 제어]
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556 |
ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속]
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555 |
wafer bias [Self bias]
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