ICP ICP lower power 와 RF bias
2023.01.18 19:04
안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.
또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
| 509 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1386 |
| 508 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1389 |
| 507 | 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] | 1395 |
| 506 |
dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!!
[1]  | 1402 |
| 505 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1408 |
| 504 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
| 1410 |
| 503 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1419 |
| 502 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1423 |
| 501 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1426 |
| 500 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1429 |
| » | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1436 |
| 498 | Ar plasma power/time [1] | 1437 |
| 497 | PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] | 1442 |
| 496 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1445 |
| 495 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1445 |
| 494 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1453 |
| 493 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1454 |
| 492 | 알고싶습니다 [1] | 1459 |
| 491 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1459 |
| 490 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1460 |
- RF 로 이온 에너지를 어떻게 조절하는지를 이해하면 답을 찾을 수 있을 것 같습니다. RF 은 전원, 즉 플라즈마 생성용으로도 사용하고, 바이어스 용으로도 사용을 합니다. 이를 이해하려면, 플라즈마 관련 교재에서 self bias 및 RF 쉬스와 가열 현상에 대해 공부해 보면 좋겠군요. 왜 RF를 이용하는지 이해하실 수 있을 것으며, 관련 내용에 대해서는 본 게시판에서도 여러번 다룬 주제들 입니다. 잘 활용해 보시고, RF 플라즈마 주제로 공부해 보세요. 현장에서 잘못 사용하는 RF power 의 jargon 과는 명확하게 구별합니다. 참고하시고 공부해 보세요.