안녕하세요. 반도체회사에서  PECVD 장비를 하고있는 윤태화입니다.

 

GAS 종류에 따른 Plamsa 진행시 차이점이 있는지 궁금합니다.

 

1. N2 Gas 로 Plasma 진행 시 장단점

2. N2O Gas 로 Plasma 진행 시 장단점

3. N2 / N2O  두 Gas의 Plasma 차이점 

4. N2 및 N2O GAS 사용으로 Plasma 4~5분 노출 시 챔버 내부 변색 가능성? 한두달 뒤 변색이 될 가능성..

 

위 4개 질문드립니다. 

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102636
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24658
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61358
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73442
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105747
753 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 629
752 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking] [1] 630
751 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정] [2] file 632
750 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 634
749 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 636
748 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 643
747 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 645
746 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [플라즈마 생성과 가열] [2] 647
745 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [ICP와 H field] [1] 649
744 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 659
743 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [공정 조절과 CF4 계열 플라즈마] [1] 665
742 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [방전과 에폭시] [1] file 674
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [RF 접지 면접촉 개선] [1] file 676
740 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [Pd condition과 PDP] [1] 677
739 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [상압 플라즈마 방전 메커니즘과 특성] [1] 679
738 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 680
737 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [Plasma breakdown과 살균 과정] [1] file 683
736 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [플라즈마 생성 반응] [1] 691
735 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 695
734 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [플라즈마 생성 조건 및 성질] [1] 697

Boards


XE Login