Process 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다.
2021.07.12 10:28
안녕하세요.
반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.
Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.
CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.
로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.
RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.
제가 궁금한 점은
1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?
2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?
3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?
이상입니다. 감사합니다!
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Matcher 내의 tune 과 shunt Cap 값의 변화는 chamber impedance와 plasma impedance 의 변화로 가정하는데 무리가 없습니다. 원인 결과를 따지면 매우 복잡하게 되므로, PM 전후에는 정밀한 공정 관점에서는 다른 chamber 에서 운전한다고 가정해도 좋을 정도이니, 공정에 복귀에 시간 투자를 허락하는 것이 좋을 것 같습니다. 다만 snunt 값만 쓰지 마시고, plasma off 상태의 chamber impedance 비교값, plasma on 상태에서 EPD OES 값에서 분광 신호를 넓히고, seasoning gas도 바꾸면서 데이터를 종합해 보시면 좋겠네요. Shunt 값은 플라즈마와 chamber를 포함한 총 impedance 변화에 matcher 가 대응한 결과임을 참고하시면 좀더 웨이퍼 손실을 줄일 수 있을 것 같습니다.
아울러 이는 chamber 마다 PM 마다 다를 수 있어, 경우수가 복잡해지는 절대 값을 찾으려 하지 마시고, 단위 chamber의 PM 이력과 처리기관이 성능 평가 자료에도 유의해 보시기를 추천드립니다.