안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.




번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5854
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17320
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53140
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64536
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85145
578 전자 온도 구하기 [1] file 684
577 플라즈마 충격파 질문 [1] 694
576 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 698
575 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 698
574 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 700
573 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 704
572 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 707
571 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 707
570 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 723
569 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 727
» Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 727
567 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 728
566 플라즈마 관련 교육 [1] 730
565 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 731
564 문의 드립니다. [1] 732
563 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 735
562 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 739
561 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 741
560 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 746
559 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 751

Boards


XE Login