안녕하세요.

 

ETCH 공정 CCP 설비 관련하여 Plasma 변동성 해석 중인데, 아래와 같은 경우 HF/LF Vpp 값이 어떻게 변화하는지 알 수 있을까요?

어떤 원리에 의해서 그런 변화가 발생하는지도 궁금합니다.

 

- 특정 부품(Edge Ring)의 Capacitance 감소 → Impedance 증가 → HF Vpp? LF Vpp? (증가? or 감소?)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76428
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19993
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91340
777 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 new 2
776 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. 4
775 Edge ring의 역할 및 원리 질문 update 11
774 ICP에서 전자의 가속 11
773 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 19
772 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 28
771 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 30
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [1] 47
769 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 50
768 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [1] file 53
767 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 61
766 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 121
765 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 128
764 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 128
763 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 133
762 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 154
761 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 163
760 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 166
759 corona model에 대한 질문입니다. [1] 166
758 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 173

Boards


XE Login