Sheath 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리

2015.05.09 12:46

똥영 조회 수:2249

저는 최근 반도체 증착장비에 대해 공부하다 플라즈마에 대해 궁금증이 생겨서 질문을 남깁니다.
 
스퍼터링법에서 플라즈마 발생 원리는 챔버내에 가스를 주입하고 타겟(도체)에다 DC전원으로 음전압을 가해주어 타겟이 음극이 되게되고
 
음극이 된 타겟에서 전자들이 튀어나와 가스들과 충돌하고 가스들이 전자의 에너지를 받아 이온화가 되어 양이온과 전자로 나눠지게 되는 플라즈마 상태가 형성되는걸로 알고 있습니다.
 
하지만 도체인 타겟말고 부도체인 타겟을 사용하게 될때는 DC말고  RF파워를 사용을 한다고 하는데
 
타겟이 도체인 경우 음전압을 가해주면 전자의 이동이 쉬워 음극이 되게되고 이 음극이 된 타겟에서 전자들이 나와 가스와 충돌하여 플라즈마가 되는데
 
타겟이 부도체인경우 RF파워로 음전압 가해주어도 전자의 이동이 쉽지가 않으니 음극이 되지 않아 전자가 방출이 되지 않아서 플라즈마가
 
생성이 되지 않는다고 생각이 되는데 어떻게 해서 타겟이 부도체인데 플라즈마가 형성이 되는지 궁금해서 질문을 드립니다.
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
377 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3058
376 CVD 공정에서의 self bias [1] 3150
375 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3167
374 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3170
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3208
372 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3233
371 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3236
370 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3330
369 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3332
368 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3339
367 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3351
366 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3428
365 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3435
364 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3447
363 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3453
362 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3479
361 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3551
360 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3553
359 ESC Cooling gas 관련 [1] 3554
358 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3559
쓰기
태그

Boards

XE Login