안녕하세요 PECVD 설비를 맡고 있는 엔지니어입니다.

현업에 종사하고 있음에도 알기 어려운 것들을, 교수님을 통해 알아가며 업무에 정말 많은 도움이 됩니다, 감사드립니다.

 

이번에 드리고자 하는 질문은 Sheath에 걸리는 전압 및 전력에 대한 것 입니다. 

임피던스 매칭을 공부하며 파워는 저항에서만 소모되고 C나 L 같은 리엑턴스에서는 위상지연만 일어난다는 것을 알았습니다.

하지만 이해가 안가는 부분이 있습니다.

 

챔버를 임피던스로 표현할 땐, 플라즈마 Bulk는 R(저항)으로 표현되고, Sheath는 C(커패시터)로 표현할 수 있는데, 이 때 Power는 저항인 Plasma Bulk에서만 소비된다고 이해 했습니다.

그런데, Self Bias관련 자료에서는, Sheath에서 대부분의 전압강하가 일어나고, Bulk의 Potential은 일정하다고 되어있어 이해에 어려움이 있습니다.

즉, 등가회로로 표현할 땐 볼티지 드랍이 플라즈마 벌크에서 일어나는 자료와, Self Bias를 설명하는 자료에서는 Sheah에서 대부분 Voltage drop 이 일어난다고 하니 상충되는것으로 받아들여집니다.

 

이를 이해 하기위해 어떤 이론이 부족한지, 또는 잘못 알고 있는지를 모르겠어서, 다시 한번 질문 남기게 되었습니다.

귀한 시간 내주셔서 진심으로 감사드립니다..!

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77208
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57361
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92946
726 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 430
725 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 430
724 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 433
723 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 439
722 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 443
721 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 445
720 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 452
719 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 453
718 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 454
717 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 456
716 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 460
715 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 462
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 465
713 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 471
712 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 472
711 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 473
710 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 475
709 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 475
708 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 478
707 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 489

Boards


XE Login