Plasma in general 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다.
2020.02.28 15:10
안녕하세요. 석사과정생인 최하림입니다.
늘 좋은 답변남겨주셔서 감사드립니다.
마이크로 웨이브 플라즈마 방식으로 ion gun에서 수소 플라즈마를 생성시키고 process chamber까지 나오는 전하들을 이용하여 2d물질 표면에 수소를 흡착시키는 실험을 진행하고 있습니다.(샘플은 [Si/SiO2/2d박막] 이러한 구조입니다.) (ion gun에서 process chamber에 있는 샘플까지의 거리는 약 10cm정도입니다.)
그런데 2d물질 샘플을 ion gun과 마주보지 않은 상태로 샘플에 back gate voltage를 걸어주면 샘플 표면에 수소처리가 됩니다 ( back gate voltage는 +100V, -100V 둘다 걸어주었는데 두 경우 모두 수소가 흡착된 데이터를 얻었습니다.)
참고로 마주보지 않은 상태로 back gate voltage를 걸어주지 않으면 샘플 표면에 수소처리가 되지 않습니다.
제가 생각하기로는 positive back gate voltage를 걸어주면 그 샘플 주변에 전기장이 형성되어 전자가 힘을 받아 주변의 중성가스인 H2와 충돌하여 이온화되어 샘플에 흡착된다거나, negative back gate voltage인 경우에는 +를 띄는 ion이 끌려온다고 밖에 예상하지 못했습니다
ion gun에서 나오는 전하들이 직진성을 가지고 있는 것은 알고 있지만. back gate voltage를 걸어줌으로써 그 전하들이 휘어서 샘플에 흡착되는 것이 가능한가요?
process chamber에서 전하들의 움직임이나 electrical potential에 의한 전하들의 움직임에 관련된 논문이나 게시글이 있는지 여쭤봐도 될까요?
감사합니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76750 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57170 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92308 |
114 | 핵융합에 대하여 | 8564 |
113 | Lecture를 들을 수 없나요? [1] | 8580 |
112 | ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] | 8725 |
111 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8921 |
110 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8982 |
109 | 안녕하세요 교수님. [1] | 9034 |
108 | 진공챔버내에서 플라즈마 발생 문의 [1] | 9232 |
107 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9521 |
106 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10379 |
105 | DC bias (Self bias) [3] | 11265 |
104 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11451 |
103 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12357 |
102 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12759 |
101 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13057 |
100 | 플라즈마의 상태 | 14076 |
99 | 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] | 14142 |
98 | 우주에서의 플라즈마의 성분비 | 14585 |
97 | 우주 플라즈마 | 14785 |
96 | 산업용 플라즈마의 특성 | 15157 |
95 | 우주 플라즈마 | 15348 |