ICP ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도]

2021.03.01 21:54

sawo325 조회 수:1568

안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

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