Sputtering gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다
2023.11.13 17:15
안녕하세요 스퍼터링 공부중인 학생입니다.
실험으로 스퍼터김운용 중 기타 변수들을 동일하게 하고 Ar20 sccm고정 02 를 2,4,6 조절하며 두께 및 저항값을 측정하고 있습니다.
o2양이 증가함에 따라 deposition rate가 감소하여 동일시간 증착시 더 증착되고 저항값도 커지는걸로 알고 있습니다만 제가 알고 있는 것이 맞을까요?
또한 4point prboe 측정시 2sccm 은 면저항이 5.6 옴정도로 측정되고 4sccm은 평균 400옴정도로 측정되는데 정상인지 여쭤보고 싶습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92292 |
| 182 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 60 |
| 181 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 65 |
| 180 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 114 |
| 179 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 169 |
| 178 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 183 |
| 177 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의
[1]  | 186 |
| 176 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 198 |
| 175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 208 |
| 174 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 216 |
| 173 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 229 |
| 172 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 238 |
| » | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 252 |
| 170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 273 |
| 169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 291 |
| 168 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 317 |
| 167 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 354 |
| 166 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 366 |
| 165 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 387 |
| 164 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 395 |
| 163 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 399 |