안녕하세요.


RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.


미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
789 플라즈마 설비에 대한 질문 22
788 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 39
787 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 53
786 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 59
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 64
784 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 70
783 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 80
782 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 83
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 86
780 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 101
779 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 113
778 Microwave & RF Plasma [1] 115
777 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 115
776 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 124
775 skin depth에 대한 이해 [1] 129
774 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 134
773 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 137
772 ICP에서 전자의 가속 [1] 138
771 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 147
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 151

Boards


XE Login