Chamber component matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다.
2019.07.05 14:01
늘 좋은 글과 답변에 감사드립니다.
반도체 장비 회사에 근무하는 재직자 입니다.
플라즈마 테스트 시 matcher에서 나오는 결과 값에 대해 의문이 있어 질문 드립니다.
1. 측정 값 중 RF_V_PEAK 라는 값이 있습니다.
이게 플라즈마 생성기에 인가되는 V의 피크값이라고 알고 있습니다.
이 값이 ESC 척에 걸리는 DC bias 값과 동일하다고 생각해도 되나요?
2. 측정 값 중 RF TUNE, RF LOAD, MFC01, MFC02 값이 있습니다.
RF TUNE 값은 제너레이터와 직렬로 연결된 cap 로, 플라즈마 리액턴스 값에 영향을 주고
RF LOAD 값은 제너레이터와 병렬로 연결되어 플라즈마의 임피던스 실수부에 영향을 주는것으로 알고 있습니다.
이 두값은 측정된 임피던스와 대조를 통해서 확인이 끝난 상황인데요, (Raw 데이터로 그래프 뽑아보면 그래프 형상이 거의 동일하게 나옵니다.)
문제는 MFC01, MFC02값입니다.
이게 실제로 연결된 가변 Cap 값이라고 추정중인데, 이 값들과 임피던스 값, RF load, tune 값이랑은 상관관계를 알 수가 없습니다.
이 값들이 실제로 cap 값을 의미하는건지, 그 값이 맞다면 어떤 상관관계를 가지는지,
혹은 다른 값인데 오해를 하고 있는건지..
3. 챔버 내에 장착된 ESC척이나 Heater의 스펙(크기나 cap 값 등)이 챔버의 impedance(RF generater 에서 플라즈마 까지의 impedance) 에 영향을 주는지 알고 싶습니다.
4. 식각, 증착, ESC 성능에 있어서 정전척(또는 Heater)의 cap값이 성능에 직접적인 영향을 주는 것으로 알고 있습니다.
ESC나 heater에서 cap 값이 충분히 확보가 안되면 self bias 에 손실을 주게 되고 이는 식각과 증착 속도와 퀼리티에 영향을 주며
ESC에서 처킹능력은 cap 값에 직접적인 영향을 받는 것으로 알고 있습니다.
따라서 저희 chamber 에 쓰이는 ESC 와 heater의 capacitance 와 impedance 를 정확히 측정하고 싶은데 여기에 어려움이 있습니다.
- ESC하나만 측정하기에는, ESC에서는 단자가 1개밖에 존재하지 않으므로, 실제 공정에서 상대 극판으로 이용되는 plasma가 있어야 하는데 이를 impedance analyzer 에서 측정 시 특정 짓기에 어렵습니다.
- 플라즈마를 대체하여 ESC표면에 금속 판을 올려서 측정할 경우, ESC 내의 grond plate(금속판)에서 반대편 금속 판 까지 ESC body, 공기층(ESC표면에 단차가 있습니다.), 경우에 따라서 웨이퍼까지 존재하는데,
이렇게 구성 될 경우 두 유전체가 일렬로 존재하여 커패시턴스가 직렬로 있는 효과를 가지게 되버려 본래 esc 척의 cap 측정이 불가능해집니다.
여기에 참고 할 수 있을만한 문헌이나 특허, 책이 있다면 소개 부탁드립니다.
질문을 하다 보니 정말 길어졌습니다만...
의지할 곳이 여기밖에 없어 도움 부탁드립니다.
감사합니다.
댓글 3
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76748 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92306 |
790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 | 1 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 30 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 46 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 54 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 60 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 66 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 73 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 88 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 89 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 101 |
779 | Microwave & RF Plasma [1] | 117 |
778 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 118 |
777 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 119 |
776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 132 |
774 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 137 |
773 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 139 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 141 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 149 |