Plasma in general RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY
2020.06.11 22:09
안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.
몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.
1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?
2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?
3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.
마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 24 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 41 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 60 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 65 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 70 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 83 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 86 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 101 |
779 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 114 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 115 |
777 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 116 |
776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 130 |
774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 136 |
773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 137 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 138 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 147 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 151 |