Etch 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘

2023.05.19 12:58

plasmaetching 조회 수:138

안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. si-(ch3)2기의 에칭을 한다고 할 때 제가 생각하는 메커니즘으로 에칭이 될 지 여쭤보고자 글 남깁니다.

plasma gas로는 cf4/o2를 사용한다고 할 때

SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas)의 반응으로 에칭이 가능할까요?

또한 cf4에 o2, ar, chf3등을 추가적으로 사용해도 에칭이 문제없이 진행될 지, 이 경우에도 위와같은 반응으로 에칭이 될지 궁금합니다.

chf3도 에칭에 사용이되고, o2는 f라디칼의 생성을 증가시키며, ar의 경우 아르곤플라즈마의 생성으로 빠른 에칭을 야기시킨다고 알고있습니다.

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