Plasma in general 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거
2023.06.13 09:36
안녕하세요
현재 업무중 , 플라즈마 공정 후 타겟 (SiO2 표면) 이 친수성화 되어 후속공정에 많은 어려움이 있습니다.
플라즈마 공정시 사용되는 Gas 는 CF4,O2,N2 로 구성되어 있으며, ICP 방식의 플라즈마를 사용하고 있습니다.
공정 시 스텝 추가 혹은 공정후 표면의 친수성화를 제거할수 있는 방법이 있을까요?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76816 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20246 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68738 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92575 |
| 795 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 4 |
| 794 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 | 7 |
| 793 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 7 |
| 792 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 9 |
| 791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 35 |
| 790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 48 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 54 |
| 788 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 60 |
| 787 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 67 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 68 |
| 785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 72 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 76 |
| 783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 87 |
| 782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 103 |
| 781 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 107 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 110 |
| 779 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 128 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 129 |
| 777 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 132 |
| 776 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 138 |