CCP 반사파에 의한 micro arc 질문

2024.03.30 12:47

매쳐 조회 수:143

안녕하세요 교수님

CCP type의 PECVD 공정을 맡고 있는 직장인입니다.

매번 교수님의 설명으로 큰 도움 받고 있습니다, 대단히 감사드립니다.

 

이번에는 reflect power에 의한 arc 관련 질문 드립니다.

우선 현상은 이렇습니다. HF 가 turn on 되고나서 수 m sec 동안 matcher 가 즉각적으로 대응하지 못하여, 인가되는 power가 전부 반사되는 상황입니다. Power는 1000W 수준이고 수 m sec 이후에는 reflect를 정상적으로 제압해 나갑니다.

 

Reflect가 발생하는 수 m sec동안 micro arc 가능성이 있다는 얘길 들었습니다. Arc 의 조건에 해당 상황이 부합하지 않는데, 어떤 원리로 arc가 발생할 가능성이 있을까요?

 

늘 감사드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77207
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20465
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57360
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
806 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. 8
805 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [1] 19
804 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [1] 22
803 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 36
802 CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [1] 38
801 Druyvesteyn Distribution 47
800 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 53
799 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] 58
798 플라즈마 식각 커스핑 식각량 60
797 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 67
796 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [1] 72
795 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 76
794 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 82
793 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 86
792 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 87
791 HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] 90
790 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 91
789 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 102
788 플라즈마 설비에 대한 질문 110
787 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 118

Boards


XE Login