안녕하세요? 반도체 회사 연구원입니다.

 

반도체 Etching 공정관련 한 가지 궁금한 사항 문의드리고자 질문올립니다.

 

Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring 소재의 유전율과 체적저항이 챔버 내 Plasma 형성에 영향을 미치는지 궁금합니다.

(최근에는 CVD SiC Ring을 많이 활용하고 있습니다.)

 

예를들어, 유전상수와 체적저항이 ~할수록 Plasma가 생정되는 정도와 분포가 어떤식으로 변화할까요?

 

조금은 포괄적인 질문이라 답변이 어려울수도있겠습니다.

 

감사합니다. 교수님.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
604 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 847
603 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 850
602 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
601 문의 드립니다. [1] 858
600 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 860
599 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 862
598 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 878
597 Plasma Generator 관련해서요. [1] 905
596 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 911
595 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 923
594 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 934
593 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 940
592 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
591 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 949
590 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 950
589 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 951
588 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 952
587 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 959
586 anode sheath 질문드립니다. [1] 959
585 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 964

Boards


XE Login