Etch Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate

2020.07.09 13:00

도리 조회 수:1970

안녕하세요 교수님

Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?


이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] 75425
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19161
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56479
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67556
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89363
468 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1449
467 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1470
466 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1472
465 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1501
464 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1517
463 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1548
462 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1550
461 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1551
460 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1574
459 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1584
458 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1585
457 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1590
456 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1591
455 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1605
454 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1616
453 터보펌프 에러관련 [1] 1647
452 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1667
451 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1677
450 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1680
449 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1681
쓰기
태그

Boards

XE Login