ESC SI Wafer Broken [Chucking 구동 원리]

2018.08.01 11:16

장영구 조회 수:3168

안녕하세요. 반도체회사에 다니고 있습니다.

Plasma와 연관성이 없을 수 있는 질문인데요..

Si Wafer가 ESC Chucking  Voltage의 Damage(??)에 의해 Edge Broken이 발생할 수 있는지 궁금합니다. (2500v)

ESC를 사용하다가 1년 이상되면 Broken이 발생하고, Broken 주기는 점점 빨라집니다.

ESC의 오랜 사용에 의한 노화 현상은 맞는거 같은데 어떤 영향성으로 발생하는지 궁금해서요...(ESC 교체시 정상되네요)

Plasma On/Off와는 연관성이 없었습니다.

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102756
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24678
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61392
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73462
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105800
533 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1643
532 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 1646
531 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요 [RF power와 power factor] [1] 1657
530 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1661
529 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1669
528 강의를 들을 수 없는건가요? [플라즈마 진단 심포지움 및 PSES-net] [2] 1672
527 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [전자전류의 해석] [1] 1675
526 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1685
525 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [전자 소실 및 플라즈마 전위] [3] 1687
524 Plasma 발생영역에 관한 질문 [Plasma sheath의 형성과정] [2] 1708
523 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [Global model] [1] 1709
522 low pressure영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니다. [파센 커브와 글로우 방전] [1] 1729
521 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [Byproduct와 gas flow, cleaning] [1] 1734
520 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [플라즈마 토치에서의 Rotational temperature] [1] 1735
519 Impedence 위상관련 문의 [Circuit model, matching] [1] 1740
518 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [Plasma cleaning] [1] file 1748
517 MATCHER 발열 문제 [Mathcer와 plasma impedance] [3] 1756
516 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1759
515 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [챔버 벽면 성질 및 가스 손실] [1] 1763
514 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1775

Boards


XE Login