저는 광학박막 분야에서 sputter 장비를 이용하여 간섭필터를 코팅하고 있습니다.

sputter에 ICP를 같이 사용하여 기판에 증착된 Si와 반응가스를 결합시키는 용도로 사용하고 있습니다.

ICP코일 앞에 위치한 Quartz 표면에서 식각된 것 같은 모양새를 보여 원인분석에 있습니다.


질문1. ICP 쪽에 Self bias로 인해 Quartz가 식각되는 현상이 발생될 수 있는지 궁금합니다

질문2. Ar과 함께 들어가는 반응가스로 O2를 사용했을 때와 H2를 사용했을 때 ICP 쪽과 기판 쪽에서 어떤 현상들이 생기는지 궁금합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75020
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18861
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56340
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66847
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88316
419 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1841
418 chamber impedance [1] 1844
417 가입인사드립니다. [1] 1845
416 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 1854
415 etching에 관한 질문입니다. [1] 1860
414 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1875
413 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 1902
412 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1903
411 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 1959
410 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 1964
409 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1997
408 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2031
407 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2062
406 CVD 공정에서의 self bias [1] 2063
405 플라즈마볼 제작시 [1] file 2072
404 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2078
403 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2099
402 Wafer particle 성분 분석 [1] 2106
401 Si Wafer Broken [2] 2122
400 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2126

Boards


XE Login