ESC ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요??
2021.09.14 15:33
진공상태에서 ESC 표면의 온도가 모두 같지는 않기 때문에 Inner랑 outer에서 조금의 온도 차이가 있을 텐데
이러한 온도 차이 때문에 wafer에서의 식각률의 차이가 어떤 이유로 있는건지 알 수 있을까요??
온도별로 영역별 식각정도가 다를 경우가 있는데 어떤 이유가 있을지 궁금해서요
도움 부탁드립니다!
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78047 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20850 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57738 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93636 |
| 499 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1505 |
| 498 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1510 |
| 497 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1512 |
| 496 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1513 |
| 495 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
| 494 | 알고싶습니다 [1] | 1521 |
| 493 | charge effect에 대해 [2] | 1559 |
| 492 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1566 |
| 491 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1571 |
| 490 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1577 |
| 489 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1583 |
| 488 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1593 |
| 487 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1596 |
| 486 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1612 |
| 485 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1616 |
| 484 | IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] | 1623 |
| 483 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1646 |
| 482 | plasma 형성 관계 [1] | 1647 |
| 481 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1661 |
| 480 | Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] | 1669 |