안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76870
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
357 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3561
356 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3642
355 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3658
354 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3714
353 Descum 관련 문의 사항. [1] 3740
352 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3755
351 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3802
350 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3836
349 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3861
348 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3955
347 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3959
346 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3972
345 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3978
344 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3991
343 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4053
342 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4167
341 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4212
340 플라즈마 색 관찰 [1] 4297
339 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4314
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4342

Boards


XE Login