self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [144] | 5909 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17361 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 53181 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65116 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 85207 |
| 179 | 진로상담 | 18055 |
| 178 | ICP에 대하여 | 18071 |
| 177 | rotational vibration excitation | 18084 |
| 176 | 저온 플라즈마에 관한 질문 | 18110 |
| 175 | sputtering | 18188 |
| 174 | Faraday shielding & Screening effect | 18209 |
| 173 | 실생활에서 사용되는 플라즈마 | 18239 |
| 172 | 물리적인 sputterting | 18258 |
| 171 | PDP 에 대해서.. | 18269 |
| 170 | surface wave plasma 에 대해서 [1] | 18288 |
| 169 | 질문 있습니다. [1] | 18317 |
| 168 | RF compensate probe | 18331 |
| 167 | 플라즈마를 손으로 만질 수는 없나요?? | 18349 |
| 166 | 형광등에서 일어나는 물리적인 현상 | 18419 |
| 165 | 최적의 펌프는? | 18432 |
| 164 | 핵융합 발전에서는 폐기물이 않나오는 .... | 18455 |
| 163 | 주변의 플라즈마에 대하여 | 18601 |
| 162 | 플라즈마진단법엔 어떤것이? | 18621 |
| 161 | 플라즈마의 환경이용 | 18653 |
| 160 | 등온플라즈마와 비등온플라즈마 | 18692 |