self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
269 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11329 |
268 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11419 |
267 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11448 |
266 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12356 |
265 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12488 |
264 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12758 |
263 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12809 |
262 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13056 |
261 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13202 |
260 | 플라즈마의 상태 | 14076 |
259 | 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] | 14142 |
258 | 냉각수에 의한 Power Leak | 14447 |
257 | remote plasma 데미지 질문 [1] | 14461 |
256 | 우주에서의 플라즈마의 성분비 | 14585 |
255 | laser induced plasma의 측정에 관하여 | 14731 |
254 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14734 |
253 | 우주 플라즈마 | 14785 |
252 | ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] | 14787 |
251 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15053 |
250 | 산업용 플라즈마의 특성 | 15157 |