안녕하세요, dry etch 관련 업종에서 일하는 직장인 입니다

현장에서 발생하는 문제에 궁금증이 있어 자문을 구하고자 합니다.

ETCH 공정이후 ASHING공정을 연속 PLASMA를 사용하여 스텝을 전환하는데요,

Ashing 공정으로 전환시 source reflect가 수준이 약해 매끄럽게 매칭이 되는 경우가 있는 반면, reflect 수준이 강하여 rf power drop이 발생하며 매칭이 되지 않는 경우가 종종 발생합니다, 이경우 심하면 esc에 arc가 주로 발생을 하는데...원인을 찾기가 어렵네요...

Matcher 파라미터(위상)변경 및 제너레이터 교체, esc교체 등을 해보았으나 여전히 power drop 현상이 남아있습니다. 여러개의 챔버를 대상으로 power drop 빈도수를 확인해보면 어떤 챔버는 power drop이 전혀 발생하지 않고, 어떤 챔버는 약  10%확률로 power drop이 발생합니다.

연속 plasma 공정 특성상 가스종류 및 프레셔가 급변하여 reflect가 발생은 예상했지만, 챔버별로 유의차가 나오니 원인을 trace 중입니다.

추정원인으로

-icp구조의 안테나측 capacitor가 내전압특성을 잃어서?

-Gas 종류의 변동(ar->o2)으로 esc chuck력이 약해져서?

로 생각이 되는데...relecct가 심하면 esc arc까지 발생되는 이유가 있을까요?

문제 해결을 위해 조언을 주신다면 감사하겠습니다!