안녕하십니까,

저는 한양대학교 신소재공학과에서 석박 생활을 하고 있는 학생입니다.

다름이 아니오라 제가 진행하고 있는 실험에 대하여 소자 특성저하에 여러가지 변수 중

플라즈마 데미지 라는 부분을 확인해 보기 위하여 검색을 하다가 플라즈마 응용연구실 Q&A 를 이용하게 되었습니다.

저는 TFT를 연구하고 있는데, 궁금한점이 있습니다.

Passivation- Free 상태의 TFT 즉 바텀 게이트를 이용하는 TFT의 채널층이 노출된 상태에서

PECVD 를이용하여 40W 100도 공정을 이용하여 약 1시간 정도SiNx 를 Deposition 할 경우

처음에 열려 있는 채널층에 플라즈마 데미지에 의하여 이온이 차지가 된다거나 기타 다른 차지들이 채널층에

데미지를 줄 수 있을까요../?

궁금한 마음이 급하여 두서없이 작성했습니다.

혹 실례가 되지 않는다면 답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.