Sheath 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다.
2018.02.01 14:20
늦었지만 친절한 답변 감사드립니다.
한가지 더 문제되는 것이 있는데요, 최근 고객사 설비에서 PM 초기의 RF VDC 값이 높은 것 때문에 공정 불량이 발생하고 있습니다.
VDC 값은 양 극 사이(여기서는 STG HEATER 와 SHOWERHEAD 가 되겠지요)의 DC BIAS 크기와 관련이 있고 이것은
CH 의 CAP 값에 반비례하는 것으로 알고 있는데요(틀렸다면 지적 부탁드립니다).... 그렇다면 cap 값이 커질수록 vdc 값이 작아지므로 결국 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값은 작아진다... 이렇게 결론을 내릴 수 있을 것 같습니다.
그런데 여기서 전극 사이의 거리는 막질이 아무리 쌓인다 한들 수 micro 수준이므로 의미가 없다고 보면 vdc 값을 줄일 수 있는 방법은 ㅗheater 와 showerhead 사이의 유전율을 크게 하는 것 밖에 없다고 생각이 듭니다.
여기서 문의드립니다.
1) 위에 제가 쓴 내용이 맞는지요? 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값이 작아지는 건가요?
2) 유전율을 크게 할 수 있는 방법에는 어떤 것들이 있을까요? 플라즈마 gas 의 양, 압력 등등 precoating 조건을 바꿔서 유전율을 크게 할 수 있을까요?
3) 그 외 vdc 값에 영향을 주는 변수들은 어떤 것들이 있을까요?
다시 한 번 자세한 답변 부탁드립니다. 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20211 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 24 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 41 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 60 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 65 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 70 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 83 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 86 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 101 |
779 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 114 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 115 |
777 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 116 |
776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 131 |
774 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 137 |
773 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 137 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 140 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 147 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 151 |