Plasma in general ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요?
2021.09.11 22:39
건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요??
차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76859 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20264 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68749 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92634 |
| 797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 8 |
| 796 | Druyvesteyn Distribution | 13 |
| 795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 18 |
| 794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 23 |
| 793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 25 |
| 792 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 51 |
| 791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 56 |
| 790 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 63 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 63 |
| 788 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 67 |
| 787 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 69 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
| 785 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 77 |
| 784 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 87 |
| 783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 91 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 113 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 114 |
| 780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 118 |
| 779 | Microwave & RF Plasma [1] | 134 |
| 778 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 135 |