Remote Plasma ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요?
2012.02.25 11:04
ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..
RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데
그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서
etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데... 이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..?
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76828 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20251 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68742 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92581 |
76 | No. of antenna coil turns for ICP | 23105 |
75 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23138 |
74 | DC glow discharge | 23257 |
73 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23265 |
72 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23339 |
71 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23396 |
70 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23452 |
69 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23766 |
68 | Arcing | 23831 |
67 | 플라즈마 쉬스 | 23943 |
66 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23983 |
65 | self Bias voltage | 24063 |
64 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24122 |
63 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24182 |
62 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24336 |
» | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24350 |
60 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24520 |
59 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 24604 |
58 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24665 |
57 | plasma와 arc의 차이는? | 24723 |