안녕하세요.
계속 눈팅만 하고 있다가 처음으로 글을 쓰게 된 초자엔지니어 입니다.
계시판 글을 읽는데도 플라즈마 공부에 많은 도움이 되는 거 같습니다.
질문의 내용은
일반적으로 논문에 ICP Plasma는 Metal 박막, Poly-Si 박막에 적합하고 CCP Plasma는 SiO2 및 SiN 박막에 적합하다고 되어 있습니다.
CCP Plasma는 ICP Plasma 보다 Ion energy 높아 Ion bambard로 결합력이 강한 SiO2, SiN을 쉽게 식각을 할 수 있다고 생각이 됩니다.
그렇다면, CCP Plasma로 식각 공정을 만들어서 Metal 박막 혹은 Poly-Si 박막도 쉽게 Etching을 할 수 있지 않을까요?
굳이 Hardware 구조가 복잡한 ICP Plasma로 Metal 박막 혹은 Poly-Si 박막을 Etching 하는지 궁금합니다.
여러가지 도움을 준 교수님께 감사드립니다.
댓글 1
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