Plasma Source ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다.
2020.12.27 15:04
안녕하세요 고려대학교 가속기과학과 김지수 학생입니다.
ECR ion source를 연구중인데 ECR chamber에 GAS를 주입하고 RF를 인가중 플라즈마가 켜지게 되면
RF Reflect가 엄청 많아집니다. RF 주파수를 위아래로 조절해 보아도 Rflect가 기본 base line처럼 깔려서 낮아지질 않네요
Plasma상태에 따라서 RF reflect가 많이 달라질까요? 달라진다면 어떤 plasma 상태를 만들어야 될까요?
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76881 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20276 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68754 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92707 |
142 | 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] | 516 |
141 | Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] | 517 |
140 | 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] | 518 |
139 | 핵융합 질문 [1] | 571 |
138 | 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] | 576 |
137 | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 585 |
136 | 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] | 599 |
135 | Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] | 617 |
134 | 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] | 619 |
133 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 626 |
132 | N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] | 628 |
131 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 710 |
130 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 715 |
129 | ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] | 721 |
128 | RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] | 761 |
127 | 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] | 763 |
126 | 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] | 789 |
125 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 808 |
124 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 810 |
123 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 811 |