Plasma in general 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다.
2018.11.16 10:35
저희는 PT 처리를 위해 CCP 플라즈마를 사용하고 있습니다.
약 -7승 정도의 진공도의 챔버에서 ITO세정용으로 플라즈마 처리를 하고 있습니다.
제가 궁금한 것은 먼저
1. 표시되는 압력의 의미가 궁금합니다. mTorr이 플라즈마 내부로 유입된 기체(질소)가 나타내는 압력을 의미하는 것 맞나요?
그렇다면 챔버 내 압력 = 플라즈마의 압력 이라고 봐도 무방할까요
2. self bias값이 파워(W)가 증가할수록, 압력(mTorr)이 낮아질수록 증가하는데 그 이유를 알고 싶습니다.
3. 나타나는 값중 position이라는 값이 있습니다. 평소에는 position 값이 100을 유지하다가 플라즈마 처리를 위해
기체를 유입하면 그 값이 떨어지고 일정한 값을 유지를 하는데 이 position이 무엇을 뜻하는지 알고 싶습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76841 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20252 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68744 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92588 |
436 | chamber impedance [1] | 2012 |
435 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2020 |
434 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2047 |
433 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2054 |
432 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2066 |
431 | ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] | 2073 |
» | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2137 |
429 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2143 |
428 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2175 |
427 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 2240 |
426 | 플라즈마볼 제작시 [1] | 2246 |
425 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2247 |
424 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2251 |
423 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2255 |
422 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2268 |
421 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2281 |
420 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2284 |
419 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2284 |
418 | sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] | 2319 |
417 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2325 |