Ion/Electron Temperature 고온플라즈마와 저온플라즈마

2004.06.19 16:20

관리자 조회 수:23125 추천:253

플라즈마를 구분함에 있어서 저온 플라즈마와 고온 플라즈마를  구분하기 위한 절대 온도의 개념이 설정되어 있는 것은 아닙니다. 일반적으로 산업용 플라즈마의 경우 저온 플라즈마가 형성되고 핵융합과 같은 플라즈마의 경우 전자의 온도가 수 keV 가 됨으로 고온 플라즈마라 합니다. 산업용 플라즈마는 대부분 전자 온도가 10 eV 미만이며 이온의 온도는 이보다 매우 낮아 일반적으로 방안 온도와 유사하다고 생각하기도 합니다. 실측된 이온 전자온도 값도 전자 온도의 1/10 미만의 크기를 보여줍니다.
이에 반해서 핵융합로 같이 플라즈마 구속이 좋은 경우 전자의 온도와 이온의 온도가 모두 수 keV가 되니 고온이라 할수 있으며 핵융합로 자체가 고온 고밀도 플라즈마에 대한 연구가 목적임으로 플라즈마의 발생과 구속 및 가열을 통하여 플라즈마의 온도를 향상 시킴니다. 산업용 플라즈마에서는 전자의 온도 상승이 대부분의 원치 않는 처리 결과를 야기함으로 낮은 전자온도의 플라즈마를 요구하기도 합니다. 또한 효율적으로 플라즈마가 구속되지 않음으로 전자 및 이온의 온도가 낮습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92277
789 플라즈마 설비에 대한 질문 11
788 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 33
787 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 53
786 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 58
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 62
784 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 68
783 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 79
782 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 80
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 85
780 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 100
779 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 111
778 Microwave & RF Plasma [1] 112
777 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 112
776 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 124
775 skin depth에 대한 이해 [1] 124
774 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 126
773 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 136
772 ICP에서 전자의 가속 [1] 137
771 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
770 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 148

Boards


XE Login