Others Ground에 대하여

2004.07.02 11:12

권호철 조회 수:35172 추천:259

================================<질문>=======================================

사람들이 ground를 중요시 하는데..

Source & Bias RF를 거는 system에서 Bias ass'y에 Gruond를

잡지 않고 floating시키면 어떤 현상이 발생할수 있는지요..

그리고 Ground의 정확한 역활이 무엇인지요..

답변 부탁드립니다.

================================<답변>=======================================

Ground는 전기회로에서 매우 중요한 인자입니다.
모든 전압은 사실 전압차를 의미하는 것입니다. 즉, 10V라 함은 0V를
기준으로 10V의 차이가 생겼다는 이야기도 되고 100V와 110V의 전압차를
의미하기도 합니다. 이 경우를 가정하면 기준점이 무엇인가에 따라서
전반적인 상황이 바뀔 수 있지요. 0V에서 10V의 차이라면 0V 전극은
비교적 안정할 것이고 100V에서 110V차이를 갖는 회로의 100V편은
우리가 생각한 0V가 아니어서 많은 혼란과 위험이 존재하게 됩니다.
기본적으로 ground라면 0V의 기준점이 되는 점입니다. 인위적으로
전압을 인가해서 0V를 만드는 경우도 있기는 하지만 대부분은 ground함으로써 기준 전압 0V를 만들지요. 하면 ground의 0V는 어디인가.
집에 들어오는 전기의 접지, 혹은 배전반의 녹색단자가 ground입니다.
전봇대에도 ground를 인가해 놓았고 접지봉이라고 해서 땅속에 도체를
묻어 접지를 잡기도 합니다. Ground라고 사용할 때 지표의 전위를 의미하는 ground 가 있고 (소위 어스 earth라 합니다.) 장치의 box의 ground 즉 chassis ground를 의미하는 수도 있습니다. 당연히 장치의 ground는 chassis ground의 지표면
의 ground와는 전위차이가 생길 수 있지요. 이점은 매우 신중해야 합니다. 왜냐하면 전위차이가 생겼다는 것은 전위차이 사이에 통로가 생기면
전류가 흐를 수 있다는 말입니다. 예를 들어 RF 특히 matching system의 접지와 반응기의 접지 및 인가 전압 본선의 접지 전극 간에 전위차이
가 생기고 있는가는 실험전에 확인해야 하고 접지가 불충분 하다면
반응기나 혹은 진단계 혹은 자동화 시스템등에서 생각하는 기준 전위에
혼선이 오거나 일련의 폐회로가 형성되면 그곳으로 전류가 흐르게 되어
기기를 파괴시키거나, 혹은 운전자에게 위험을 초래할 수 있기 때문입니다.
접지는 넓은 면적의 도체를 이용하고 접합부분은 넓고 확고하게 연결해야 합니다. 이때 항상 생각해야 할 것은 접지로 흐르는 전류는 물과 같아서 병목같이 넓다가 좁아지게 되면 전하가 축적되어 가상전위가 생긴다는
것을 꼭 명심하기 바랍니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2331
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12856
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49616
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61106
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 79460
659 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 21
658 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 50
657 Co-relation between RF Forward power and Vpp [2] 65
656 etch defect 관련 질문드립니다 79
655 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 95
654 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 109
653 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [2] 131
652 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 144
651 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 147
650 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 150
649 doping type에 따른 ER 차이 [1] 161
648 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 173
647 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 176
646 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 201
645 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 205
644 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 206
643 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 217
642 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 220
641 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 222
640 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 233

Boards


XE Login