Ion/Electron Temperature RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다.

2011.10.18 16:01

kailo 조회 수:17851

안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

예전 책에서 공부한 바에 따르면 압력이나 챔버가 일정한 상태에서는

 

RF Power가 증가하면 전자의 에너지는 증가할 수 있지만 이 에너지는 이온화 과정에서 잃어버리기 때문에

 

밀도는 증가하는 것이고 Te는 일정하다고 알고있었는데,

 

실제 플라즈마 진단 테스트를 해보니까

 

RF Power가 증가함에 따라 플라즈마 밀도와 전자온도 다 증가하는 결과를 얻었습니다.

 

소스 타입은 ICP이고 수소 플라즈마 입니다.

 

이 경우, 전자온도가 매우 높아서 이온화를 하고도 에너지가 남을 만큼 큰 에너지를 얻었기 때문인가요?

 

어떤 메커니즘으로 이런 현상이 일어나는지 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78038
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20848
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93633
819 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [1] update 7
818 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [1] update 12
817 인가전압과 ESC의 관계 질문 [1] 33
816 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 45
815 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 48
814 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 51
813 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [2] 53
812 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 58
811 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 61
810 플라즈마 식각 커스핑 식각량 77
809 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 80
808 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 83
807 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 84
806 Druyvesteyn Distribution 87
805 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 91
804 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [유전체 상태 모니터링] [1] 92
803 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 92
802 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 93
801 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 105
800 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 106
쓰기
태그

Boards

XE Login