안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.

궁금점에 대해 여쭈어 봅니다

일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.

PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.

일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.

Forword Power [%]

Reflect Power [W]

Bias(Vpp) Power

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76872
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
797 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 9
796 Druyvesteyn Distribution 13
795 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 21
794 플라즈마 식각 커스핑 식각량 26
793 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 38
792 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 58
791 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 63
790 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 63
789 플라즈마 설비에 대한 질문 68
788 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 71
787 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 71
786 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 74
785 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 77
784 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 90
783 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 94
782 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 116
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 116
780 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 119
779 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 136
778 Microwave & RF Plasma [1] 137

Boards


XE Login