Collision Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요?
2012.02.16 05:21
안녕하세요.
반도체업계에서 근무하는 김상완 사원입니다.
Sputter의 지식이 부족하여 질문 올립니다.
배경: PM후 Deporete Check까지는 이상이 없었습니다.
하루지나고 공정진행시에 반사율 및 Peak 이상 현상이 발생되고 있습니다.
질문: 공정 진행시에 VDC가 급격하게 상승하여 증착에 이상이 발생되고 있는것으로 보여지는데요.
Ar은 일정하게 주입되고 있고 다른것도 문제가 없습니다.
Sputtering 중 VDC가 405~420 가량 유지하다가,
갑자기 560~570으로 변화하는 이유는 무엇일까요....
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76650 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20148 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57148 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68669 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92127 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 49 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 52 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 57 |
| 784 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 57 |
| 783 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 60 |
| 782 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 66 |
| 781 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 78 |
| 780 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 79 |
| 779 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 88 |
| 778 | skin depth에 대한 이해 [1] | 90 |
| 777 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 92 |
| 776 | Microwave & RF Plasma [1] | 99 |
| 775 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 100 |
| 774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 115 |
| 773 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 | 116 |
| 772 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 124 |
| 771 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 124 |
| 770 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 135 |
| 769 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 144 |
| 768 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 145 |