Others Plasma 에칭 후 정전기 처리
2016.03.09 10:42
안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.
남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.
지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.
자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.
1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.
2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.
3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76881 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20276 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68754 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92707 |
| 797 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 13 |
| 796 | Druyvesteyn Distribution | 18 |
| 795 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 27 |
| 794 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 32 |
| 793 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 51 |
| 792 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 64 |
| 791 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 69 |
| 790 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
| 789 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 73 |
| 788 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 73 |
| 787 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 75 |
| 786 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 79 |
| 785 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 86 |
| 784 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 94 |
| 783 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 94 |
| 782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 118 |
| 781 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 119 |
| 780 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 120 |
| 779 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 138 |
| 778 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 141 |