현재, 스퍼터링 시스템에 대해 공부를 하고 있습니다.

자연스레 플라즈마에 대해 알아야 되더라고요.

근데 공부 중에 플라즈마에 관련된 여러 변수 또는 파라미터들을 알게 되었습니다.

그 중 제가 질문하고자 하는 변수는 RF 파워인데요

RF 파워가 커지면 이온 에너지도 커진다고 알고 있습니다.

이게 왜 그런지 알고 싶습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] 75407
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67534
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89320
748 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 52
747 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 59
746 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 73
745 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 79
744 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [1] 79
743 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 88
742 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 103
741 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 110
740 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 113
739 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 113
738 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 121
737 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 123
736 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 123
735 corona model에 대한 질문입니다. [1] 125
734 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 133
733 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 135
732 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 138
731 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 140
730 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 140
729 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 140

Boards


XE Login