Shower head rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다.
2017.11.07 08:40
안녕하세요 직장에서 플라즈마를 사용하는 일반 사원입니다.
챔버내에서 Shower Head와 기판사이에서 기판과 가까운(솟아나온부분) 곳에서 생기는 박막형에 비해 기판과 먼(옆 테두리들어간 부분)곳에 생기는 부산물들이 기존의 박막층보다 엉성하고 입자가 큰 경우 기존의 받아들이던 플라즈마 값에서 변화가 일어나는데 이러한 점을 줄일 수 있는 방법이나 이론을 알고싶어 글 남깁니다. 또한 실제로 이 부산물들이 플라즈마에 어떤 영향을 미치는지 알고싶습니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20182 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68698 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 10 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 33 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 58 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 62 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 79 |
| 782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 85 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 110 |
| 778 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 111 |
| 777 | Microwave & RF Plasma [1] | 112 |
| 776 | skin depth에 대한 이해 [1] | 123 |
| 775 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
| 774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 126 |
| 773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 136 |
| 771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
| 770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 148 |
홈에 형성되는 particle 제거는 아마도 큰 이슈일 것이며, 공정 경험을 통해서 제어할 수 밖에 없을 것 같습니다. 표면 보다 측면에 형성 입자가 클 수 밖에 없는 이유는 표면에서는 입자 형성이 힘들며 수직으로 입사되는 이온에 의해 피막 형성이 매우 더딜 것이기 때문입니다. 하지만 측면에는 반응입자들이 잘 빠져나가지 못하고 가두어짐으로서 큰 입자로 성장할 조건이 만들어 지게 됩니다. 더우기 골 사이에서 플라즈마 밀도가 낮아서 벽면으로 수직하게 입사하는 입자속도 작아 입자 성장에는 표면 대비 상대적으로 좋은 조건이 될 것 같습니다.
따라서 입자 형성을 막기 위해서는 골 사이로 가스 유동이 존재하게 하거나, 공간에 trap되는 byproduct 들이 쉽게 나올 수 있도록 형상을 설계하는 방법, 그리고 플라즈마가 그속으로 쉽게 들어갈 수 있는 구조를 갖는 방법등이 있겠는데, 현실적이기 힘들 것입니다. 다만 유속을 조절하는 방법은 고려할 가치가 있어 보이고, 정기적 세정 리시피를 갖추는 방법이 오히려 효율적일 것이라는 생각을 합니다. (구조적 변화는 시간을 요하는 문제가 될 것이기 때문입니다)