늦었지만 친절한 답변 감사드립니다.


한가지 더 문제되는 것이 있는데요, 최근 고객사 설비에서 PM 초기의 RF VDC 값이 높은 것 때문에 공정 불량이 발생하고 있습니다.

VDC 값은 양 극 사이(여기서는 STG HEATER 와 SHOWERHEAD 가 되겠지요)의 DC BIAS 크기와 관련이 있고 이것은 

CH 의 CAP 값에 반비례하는 것으로 알고 있는데요(틀렸다면 지적 부탁드립니다).... 그렇다면 cap 값이 커질수록 vdc 값이 작아지므로 결국 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값은 작아진다... 이렇게 결론을 내릴 수 있을 것 같습니다.


그런데 여기서 전극 사이의 거리는 막질이 아무리 쌓인다 한들 수 micro 수준이므로 의미가 없다고 보면 vdc 값을 줄일 수 있는 방법은 ㅗheater 와 showerhead 사이의 유전율을 크게 하는 것 밖에 없다고 생각이 듭니다.


여기서 문의드립니다.


1) 위에 제가 쓴 내용이 맞는지요? 유전율이 커질수록, 전극 사이 거리가 짧아질수록 vdc 값이 작아지는 건가요?


2) 유전율을 크게 할 수 있는 방법에는 어떤 것들이 있을까요? 플라즈마 gas 의 양, 압력 등등 precoating 조건을 바꿔서 유전율을 크게 할 수 있을까요?


3) 그 외 vdc 값에 영향을 주는 변수들은 어떤 것들이 있을까요?


다시 한 번 자세한 답변 부탁드립니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [267] 76703
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20159
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57160
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68683
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92226
788 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] new 6
787 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 50
786 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 56
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 61
784 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 67
783 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 70
782 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 77
781 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 79
780 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 96
779 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 99
778 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 105
777 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 105
776 Microwave & RF Plasma [1] 107
775 skin depth에 대한 이해 [1] 114
774 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 119
773 ICP에서 전자의 가속 [1] 129
772 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 136
771 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 141
770 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
769 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] update 152

Boards


XE Login