Chamber Impedance 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문
2020.10.05 16:01
안녕하세요 현재 반도체 설비회사에서 일하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라 CVD 공정 설비에서 2단계 Deposition되며 3.5Torr -> 5.3Torr로 진행간 변경이 됩니다.
여기서 3.5Torr 진행시 특이사항은 없으나 5.3Torr Step으로 넘어가게 되면 Pressure가 불안정해 집니다.
그로인해 Load , Tune , AV Chucking Data 등 분석 결과 같이 변동되는 걸로 보아 Chamber 내 Impedance가 변하는 것으로 추정이 됩니다
압력외 큰 차이점은 없으며 박막등 어떠한 요소로 인해 Ch' impedance가 변할 수 있는것인지 이것이 Pressure에 영향을 줄수 있는 요소인지 알고싶습니다.
아무래도 Pressure는 Throttle Valve의 영향이 큰데 왜 T/V 가 Load Tune과 같이 움직이는지 모르겠습니다.
아직 많이 부족하지만 도움 받고자 글 남깁니다
감사합니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76738 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92286 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 22 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 40 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 59 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 65 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 70 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 83 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 86 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 101 |
779 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 113 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 115 |
777 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 115 |
776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 129 |
774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 136 |
773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 137 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 138 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 147 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 151 |