안녕하세요.

반도체 장비 회사에서 근무하는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 현재 평가중인 공정이 2000W 이상의 높은 RF power를 인가하고 있습니다.
RF power가 켜지기 전 까지는 일정한 온도로 유지 하고 있다가 RF power가 켜지면
높은 power로 인해 열이 많이 발생하여 Plasma 초기에 10도 정도의 온도가 상승하는 문제가 있습니다.


온도 조절 장치가 있어서 60초 정도에는 원하는 온도로 제어가 되지만 RF power가 켜지는 시간의 1/8 수준이라 전체적인 막질에 적지않은 영향을 줄 것으로 예상 됩니다.

 

물론 온도 제어 방식을 바꿔서 더 빠른 시간에 온도를 맞춘다던지 Plasma가 켜지기 전에 온도를 조금 낮게 유지하여 상승하는 온도를 보상하는 방법이 개발되어야 겠지만 공정적으로도 방법을 찾아보려고 합니다.

 

 

방안1) Plasma가 켜진 상태에서 RF power를 점진적으로 상승
방안2) Plasma가 켜진 상태에서 Gas 유량에 변화를 줌
방안3) Plasma가 켜진 상태에서 전극의 거리를 조금씩 움직임

 

 

위와 같은 방안들 중에서 안정적인 Plasma는 유지하되 온도 상승을 줄여보고자 하는데 참고할만한 문헌이나 연구 자료가 있을까요?

너무 도전적인 실험들이라 관련 연구가 전혀 없다고 한다면 이론적으로 저런 시도들이 어떤 의미를 가질 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [88] 2567
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 13728
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49693
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61644
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 80283
660 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 84
659 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 119
658 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 128
657 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 155
» 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 156
655 Co-relation between RF Forward power and Vpp [2] 157
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 164
653 doping type에 따른 ER 차이 [1] 190
652 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 192
651 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 197
650 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 218
649 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 225
648 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 227
647 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 232
646 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 233
645 Fluoride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [1] 241
644 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 246
643 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 248
642 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [2] 249
641 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 253

Boards


XE Login