안녕하세요.

반도체 장비 회사에서 근무하는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 현재 평가중인 공정이 2000W 이상의 높은 RF power를 인가하고 있습니다.
RF power가 켜지기 전 까지는 일정한 온도로 유지 하고 있다가 RF power가 켜지면
높은 power로 인해 열이 많이 발생하여 Plasma 초기에 10도 정도의 온도가 상승하는 문제가 있습니다.


온도 조절 장치가 있어서 60초 정도에는 원하는 온도로 제어가 되지만 RF power가 켜지는 시간의 1/8 수준이라 전체적인 막질에 적지않은 영향을 줄 것으로 예상 됩니다.

 

물론 온도 제어 방식을 바꿔서 더 빠른 시간에 온도를 맞춘다던지 Plasma가 켜지기 전에 온도를 조금 낮게 유지하여 상승하는 온도를 보상하는 방법이 개발되어야 겠지만 공정적으로도 방법을 찾아보려고 합니다.

 

 

방안1) Plasma가 켜진 상태에서 RF power를 점진적으로 상승
방안2) Plasma가 켜진 상태에서 Gas 유량에 변화를 줌
방안3) Plasma가 켜진 상태에서 전극의 거리를 조금씩 움직임

 

 

위와 같은 방안들 중에서 안정적인 Plasma는 유지하되 온도 상승을 줄여보고자 하는데 참고할만한 문헌이나 연구 자료가 있을까요?

너무 도전적인 실험들이라 관련 연구가 전혀 없다고 한다면 이론적으로 저런 시도들이 어떤 의미를 가질 수 있을까요?

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