Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:879

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16910
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64220
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84283
692 plasma modeling 관련 질문 4
691 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 51
690 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 56
689 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 56
688 ESC DC 전극 Damping 저항 72
687 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 118
686 RF Sputtering Target Issue [1] file 123
685 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 130
684 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 132
683 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 143
682 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 147
681 Polymer Temp Etch [1] 150
680 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 150
679 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 152
678 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 154
677 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 165
676 plasma striation 관련 문의 [1] file 169
675 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 196
674 RPSC를 이용한 SiO, SiN Etch 관련 문의드립니다. [1] 197
673 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 199

Boards


XE Login