CCP CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요?
2021.09.09 15:47
안녕하세요 교수님. 언제나 성심성의것 답변해주셔서 공부를 하는데 큰 도움을 받고 있습니다.
저는 ICP, CCP 모두 다루는 반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.
관찰해보면 CCP 장비에서 Arcing 문제가 더 많이 발생하고 있습니다.
어떤 이유 때문에 ICP보다 CCP 구조에서 Arcing이 더 많이 발생하는 걸까요?
전극 사이의 거리가 가까워서 그런건가요?
댓글 3
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77014 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20347 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57269 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68814 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92813 |
| 801 | C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 | 22 |
| 800 | Druyvesteyn Distribution | 25 |
| 799 | PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. | 28 |
| 798 | HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [1] | 32 |
| 797 | 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [1] | 36 |
| 796 | DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] | 38 |
| 795 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 42 |
| 794 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 44 |
| 793 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 68 |
| 792 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 77 |
| 791 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 77 |
| 790 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 84 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 84 |
| 788 | Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. | 84 |
| 787 | Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] | 91 |
| 786 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 97 |
| 785 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 104 |
| 784 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] | 105 |
| 783 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 106 |
| 782 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 128 |