Etch doping type에 따른 ER 차이
2022.02.22 19:14
안녕하세요.
반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.
다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.
Gas는 Cl2 N2 base로
Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는
SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데
Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는
Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.
혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?
P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서
그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?
Bonding energy나
Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서
결론을 못내리고 있습니다.
추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?
감사합니다.
이주현 드림.
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지금은 잊었습니다만 관련 주제의 연구 결과를 읽은 적이 있습니다. 당연히 식각률이 달랐던 것으로 기억합니다. 선행 연구가 있으니 한번 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.
아울러 표면 화학과 관련해서는 전북대학교 임연호 교수님께서 MD 시뮬레이션 연구 결과를 참고하시면 도움이 되실 것 같습니다.