안녕하세요. 디스플레이 설비회사에 재직중입니다.

 

RPSC를 Native Oxide 제거 목적으로 사용중입니다.

 

의도와는 다르게 SiN과 SiO의 선택비가 원하는만큼 나오지 않아 SiN 박막이 오히려 Etch가 많이 되는 상황입니다.

 

제가 타 직군에서 경력직으로 입사하여 애로사항이 많아, 염치불구하고 문의를 드립니다.

 

RPSC에 사용하는 Gas는 NF3, N2, H2 입니다.

 

SiO Etch 시 (NH4)2 SiF6 Film이 형성되며, 이 Film은 상온에서 잘 형성되며, 100도씨 근처에서 승화가 잘되기 때문에

 

Etch를 일정 시간 진행 이후, Chamber Temp를 100도씨로 올려주면 (NH4)2 SiF6 -> SiF4, NH3 Gas로 배기되는 것으로 파악중이나

 

SiN Etch의 기전은 파악조차 하지 못하고 있습니다.

 

하기와 같이 문의드리고 싶습니다.

 

1. SiN Etch의 기전을 설명해주실수 있으실까요?

 

2. SiO & SiN 선택비를 늘릴 수 있는 방법이 있을까요? (他 Gas 사용 등)

 

3. 참고할만한 논문이 있다면 알려주시면 감사하겠습니다.

 

이상입니다. 

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